亚阈值特性相关论文
随着集成电路产业的迅速发展,对半导体器件的性能和尺寸的要求越来越高。到2021年半导体器件的特征尺寸将缩放到5nm,环栅MOSFET由......
介绍在等离子工艺中的等离子充电损伤,并且利用相应的反应离子刻蚀(RIE)Al的工艺试验来研究在nMOSFET器件中的性能退化。通过分析......
提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法——摄动法.使用摄动法来求解泊松方程,使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起......
针对CMOS器件随着技术节点的不断减小而产生的短沟道效应和漏电流较大等问题,设计了一种新型直肠形鳍式场效应晶体管(FinFET),并将......
通过简化的模型,对应变SiGe沟道PMOSFET及Si PMOSFET的亚阈值特性作出了简单的理论分析,然后用二维模拟器Medici进行了模拟和对比;......
半导体器件的高速化、集成化要求其特征尺寸不断缩小，不可避免地导致短沟道效应，从而使得器件性能退化。提出了一种非平面沟道晶体管......
工作在亚阈值状态的MOS晶体管具有极小的工作电流和类似于双极型晶体管的指数特性,因此适合于实现微功耗的外部线性内部非线性电流......
应用二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ,对槽栅结构和平面结构器件的特性进行了模拟比较,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征及其对热载......
采用三维模拟软件对具有FINFET结构的SOI－MOSFET进行了模拟，研究了FINFET的I－V特性，亚阈值特性，短沟道效应等，模拟发现，通过降低fin的高度......
介绍在等离子工艺中的等离子充电损伤,并且利用相应的反应离子刻蚀(RIE)Al的工艺试验来研究在nMOSFET器件中的性能退化.通过分析天......
提出了一种针对FinFET器件的准三维量子力学模型．采用非平衡态格林函数方法计算器件中的弹道输运电流，同时在器件垂直于沟道方向的横......
随着特征尺寸的不断减小,晶体管的性能面临着许多挑战。本文通过分析当前晶体管发展面临的问题,探究了晶体管的发展现状,并介绍了......
当CMOS技术尺寸急剧减小到极限时，要突破这些基本极限，器件性能必须重新进行评估。也就是说，为了理解器件缩小进程中的极限并研制出新......
基于泊松方程和拉普拉斯方程，结合双栅MOSFET的边界条件，采用牛顿一拉夫逊迭代法推导了双栅MOSFET亚阈值区全沟道的电势解析解。在亚......
提出了一种用于研究纳米尺寸MOSFETs亚阈值特性的新方法一一摄动法．使用摄动法来求解泊松方程，使得在纳米尺寸MOSFETs工作中不再起作......
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区......
目前,半导体产业正在经历着巨大的变革,半导体器件的结构不在仅仅局限于传统的平面结构,而是向着三维立体化的新型器件结构发展。......
随着器件尺寸的不断缩小,器件的小尺寸效应越来越严重,传统的平面结构MOSFET已经达到其物理极限。为了克服短沟道效应,出现了很多......
集成电路自发明以来,其尺寸一直遵循摩尔定律等比例减小。然而,随着技术的发展,晶体管尺寸减小到纳米级别,也遇到了许多新的问题。......
