【摘 要】
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设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压.该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度.基于0.18 μm BCD工艺,完成了电路设计验证.仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5 μs,可满足频率达1 MHz的GaN HE
【机 构】
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无锡中微爱芯电子有限公司,江苏无锡214072;复旦大学微电子学院,上海200443;清华大学无锡应用技术研究院,江苏无锡214072;黄山学院智能微系统安徽省工程技术研究中心,安徽黄山245041;
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设计了一种用于GaN高电子迁移率晶体管(High-Electron-Mobility Transistor,HEMT)器件栅驱动芯片的快速响应低压差线性稳压器(Low Dropout Regulator,LDO)电路,可为高速变化的数字电路提供快速响应的供电电压.该电路采用动态偏置结构,通过在大负载发生时给误差放大器增加一个额外的动态偏置结构,来加快输出端的瞬态响应速度.基于0.18 μm BCD工艺,完成了电路设计验证.仿真结果显示LDO瞬态响应时间小于0.5 μs,可满足频率达1 MHz的GaN HEMT器件栅驱动芯片应用要求.
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