槽栅MOSFET相关论文
用二维器件仿真软件MEDICI模拟分析了N型槽栅金属 氧化物 半导体场效应晶体管的热载流子特性及其对器件性能所造成的损伤 ,并与......
应用二维器件仿真程序PISCES Ⅱ ,模拟计算了新型槽栅结构器件中凹槽拐角效应的影响与作用 ,讨论了槽栅结构MOSFET的沟道电场特征......
提出了一种埋氧化物槽栅双极模式功率JFET(BTB-JFET),其面向低压高频开关应用.首次通过仿真对BTB-JFET、常规的槽栅双极模式JFET(T......
随产丰VLSIK器件尺寸越来越小,槽栅MOS器件被作为在深亚微9米及亚0.1范围极具应用前景的理想同出来。文中介绍了槽顺件提出的背景,论述了槽栅MOS器件......
讨论了槽栅结构nMOSFET的掺杂浓度对器件特性的影响,并通过二维器件仿真程序PISCES-Ⅱ进行了计算模拟比较.结果表明,提高衬底掺杂......