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本文从表面等离子激元对叠层电池电学特性影响方面入手，研究了纳米Ag颗粒表面等离子激元对np隧穿结电阻的影响问题。采用20nm微晶n......
稀铋材料是Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体中研究最少的材料体系,具有待认知的物理内涵,是国际上近几年刚起步的热门领域.对稀铋材料的初步研......
本研究中利用Ag/Ni/Graphene的组合来制作反射电极，并在不同的高温退火环境下进行合金(alloy)处理，以求最佳的欧姆接触条件与最佳的......
GaN是制备光电器件(如LED﹑LD)的理想材料。目前,GaN基LED通常采用Ni/Au作为p-GaN接触电极,但当Ni/Au太厚,其透光率低,大大降低了LED......
AlxGa1-xN材料由于是直接带隙半导体,且带隙宽度随Al组分变化从3.42eV到6.2 eV连续可调,对应波长范围200-365 nm的紫外波段,是制备......
以In/Ga电极作为参考电极,研究讨论了铝电极厚度对最终PTC元件性能的影响,并得出了最佳厚度参数.采用差热分析法,观察了在升温过程......
GaN基材料禁带宽度大、电子饱和速率高、击穿电场高并且具有较好的耐腐蚀性、抗辐射性以及较高的热导率,在高频、大功率、辐射、高......
