研究了同步对称双栅氧化铟镓锌薄膜晶体管（InGaZnO thin film transistors，IGZOTFTs）的沟道电势，利用表面电势边界方程联合LambertW函......

使用磁控溅射法制备了IGZO-TFT,研究有源层厚度对其电学性能的影响.实验结果表明,器件的阈值电压和开关比会随着有源层厚度的增大......

非晶氧化铟镓锌（InGa ZnO4,IGZO）作为一种新型的薄膜晶体管（thin film transistor,TFT）有源层材料,相比于传统氢化非晶硅（a-Si:H）,具有迁......

最近几年,金属氧化物IGZO薄膜晶体管成为研究热点,具有高迁移率、稳定性好、制作工艺简单等优点,备受人们关注。文章综述了制作金......