利用直流磁控溅射方法,以Ar/N作为放电气体,在Ar流量一定的情况下(47.3sccm),通过改变N的流量(分别为0、2.5、5.4、20.1和47.3sccm......

该论文采用直流磁控溅射方法,以Ar+N作为放电气体,在玻璃衬底上制备了氮化铁薄膜.实验中所改变的沉积参数分别是氮气流量、衬底温......

氮化铁材料因其优良的磁学性质、耐磨损、抗腐蚀、抗氧化等性能而倍受关注。氮化铁材料在磁记录媒介、磁头和材料涂层等领域有着广......

用对向靶溅射仪制备了具有梯度结构的氮化铁薄膜材料．卢瑟福背散射分析结果表明，铁、氮两种原子的密度沿膜厚度方向呈梯度变化．在薄膜......

利用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体,通过改变放电气体中N2的流量 (N2流量比分别为5%,10%,30%,50%)及溅射时间(160,30,20,1......

使用直流磁控溅射方法，Ar/N2作为放电气体，在玻璃衬底上沉积FexN薄膜，利用X射线光电子能谱（XPS），掠入射小角X射线散射（GISAXS），X射线衍射（XRD......

采用直流磁控溅射法研究了磁控溅射沉积氮化铁薄膜的生长机制, 并归属了其生长普适类型. 结果表明, 磁控溅射法生长的薄膜表面具有......