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利用直流磁控溅射方法,以Ar/N2作为放电气体,通过改变放电气体中N2的流量 (N2流量比分别为5%,10%,30%,50%)及溅射时间(160,30,20,10,5min),在玻璃衬底上沉积了FexN薄膜.用X射线光电子能谱(XPS)方法确定了不同N2流量下薄膜的成分;X射线衍射(XRD)方法分析了不同N2流量下的FexN薄膜结构,当N2流量比为5%时获得了FeN0.056相,10%时为ε-Fe3N相,30%和50%流量比下均得到FeN相.利用原子力显微镜(AFM)和掠入射X射线散射(GIXA)方法研究