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氮源分子束外延相关论文
带隙为2.4~2.7eV的InGaN基光伏材料的MBE生长研究
目前,Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料因其优异的特性引起了全世界关注。其中可覆盖光谱范围354nm~1720nm的InxGa1-xN材料,在高效率太阳能电......
学位
InGaN基光伏材料
射频等离子体
氮源分子束外延
量子阱
In组分
生长条件
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