用ＡＲＥ（Ａｃｔｉｖｅ Ｒｅａｃｔｉｏｎ Ｅｖａｐｏｒａｔｉｏｎ）装置，在Ｎ２／Ａｒ混合等离子体弧光放电气氛下，通过电子束蒸镀纯硼，同时伴以一定能量的正离子轰击生长的膜表面的方法，在单晶硅（１００）基片上成功......

本文报告了用掺杂和轻度磷掺杂的活性反应蒸发,制备氢化作品硅的稳态光电导对温度及光强的依赖特性.在研究的样品中复合率由复合中......