电子温度效应相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

电子温度效应相关论文

基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型

提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型，该模型考虑了电子温度效应．计入薄基区内强电场（该电场源起于Ge，C元素......

期刊

电子温度效应 SiGe异质结晶体管 SiGeC异质结晶体管基区渡越时间 electron temperature effect SiGe HBT SiGeC

SiGeC HBT特性分析与建模仿真

本论文介绍了SiGeC材料和器件特性、电路相对于SiGe器件和Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的优越性。介绍了SiGeC HBT的能带结构以及Ge和C......

学位

SiGeC HBT 基区渡越时间电子温度效应闭式物理模型速度过冲

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