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提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型，该模型考虑了电子温度效应．计入薄基区内强电场（该电场源起于Ge，C元素的掺杂）引起的电子温度变化，得到的基区渡越时间值与漂移-扩散模型有所不同．随着Ge含量的增加，两者的差别不能再忽略．
基于电子温度效应的SiGe、SiGeC异质结晶体管的基区渡越时间模型
【摘 要】
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提出了SiGe和SiGeC异质结晶体管基区渡越时间的一种闭式物理模型，该模型考虑了电子温度效应．计入薄基区内强电场（该电场源起于Ge，C元素的掺杂）引起的电子温度变化，得到的基区渡越时
【机 构】
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中国科学技术大学物理系微电子实验室
【出 处】
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中国科学技术大学学报
【发表日期】
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2010年2期
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