直接宽带隙材料相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

直接宽带隙材料相关论文

半导体ZnO晶体生长及其性能研究进展

ZnO晶体是直接宽带隙半导体材料,室温下禁带宽度为3.37eV,激子束缚能为60meV.其禁带宽度对应紫外光的波长,有望开发蓝绿光、蓝光、......

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ZNO 晶体生长性能直接宽带隙材料半导体材料氧化锌 ZnO crystal direct wide band gap material semicond

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