直流磁控溅射方法相关论文
采用直流磁控溅射方法,以K9 玻璃为衬底制备掺铝氧化锌(ZnO∶Al,AZO)薄膜.在300 ℃真空条件下对样品进行退火处理,研究不同退......
用直流磁控溅射方法在单晶硅和玻璃基体上制备了干净的纳米银颗粒膜，通过改变溅射功率和溅射时间调整纳米银颗粒尺寸。用原子力......
利用直流磁控溅射方法在硅片和钛合金基底上沉积制备了二氧化钛薄膜.主要研究了变化的基片偏压对薄膜性能的影响.用XRD和SEM分析了......
本文采用直流磁控溅射方法在硅基底上沉积纯钨膜，用扫描电镜(SEM)方法检测到钨膜的厚度约为560nm.首先在该批钨膜样品中注入能......
本文采用纳米氧化铝和纳米氧化锌粉末制备出高性能的AZO靶材，用直流磁控溅射方法在玻璃衬底上制备出AZO薄膜，利用Tauc-Lorentz+D......
会议
研究了在纳米厚度范围内，Ni—Al薄膜的电阻率与表面粗糙度的关系。利用直流磁控溅射方法，使用高纯度(99.99％)的Ni和A1靶，通入Ar气制备......
本文采用直流磁控溅射方法,以Ar/N作为放电气体,在玻璃衬底上沉积了γ′-FeN单相薄膜.利用X射线衍射(XRD)和超导量子干涉仪(SQUID)......
近年来,随着电子元器件向微型化、薄膜化、高频化、集成化等方向发展,这样就对作为电子器件基础的功能材料提出了更高的要求。为适......
实验用直流磁控溅射方法制备TiNi合金薄膜,样品经真空退火处理后,利用X-ray衍射、能谱分析、透射电镜、电阻-温度测量等手段对晶化......
