真空热蒸发法相关论文
采用经过改良的真空热蒸发法,在抛光玻璃衬底上制备出了掺铋的透明导电钢铋氧化物薄膜(IBO)。运用扫描电镜(SEM)及XMS对薄膜的形貌......
该文介绍了有机、无机及有机复合光电材料的研究进燕尾服,概述了其结构、光电性能,并列举了几种典型的光电导理论.系统地综述了有......
碘化亚铜(CuI)具有三种主要的晶体结构,其中γ-CuI是一种宽禁带p型半导体材料,禁带宽度为3.1 eV,在可见光范围内透明,且电阻率较低......
在本研究中，使用真空热蒸发的方法制备了稀土氟化物(氟化镧、氟化铈、氟化镨、氟化钐、氟化铒、氟化镱、氟化钇)薄膜。使用XRD、SEM......
采用真空热蒸发法在玻璃衬底制备纳米硫属锡化物薄膜（SnxSy）薄膜。在空气、氮气气氛下对薄膜进行不同条件的热处理，获得性能良好的SnS......
采用真空热蒸发法在玻璃衬底制备纳米Sn薄膜,在空气或氧气气氛下对薄膜进行氧化、热处理,获得性能良好的SnO_2纳米多晶薄膜。采用......
本文采用真空热蒸发方法,在硅油基底表面制备一系列铁薄膜样品,并利用透射电子显微镜(TEM)和分光光度计系统地研究了沉积速率f以及......
以石英基片为衬底,采用真空热蒸发法,通过调控衬底温度制备出了具有微柱结构、柱径在μm量级、厚度约17μm的γ-CuI超快闪烁转换屏......
硒化锌(ZnSe)材料是一种重要的半导体材料,由于禁带结构以及禁带宽度的特性,因此具有高光透过率、光吸收系数小的特点。在光学器件......
用真空热蒸发法在玻璃基板上制得酞菁铜薄膜。用原子力显微镜、紫外可见分光光度计及红外光谱仪等分析了酞菁铜薄膜的结构特征，并对......
酞菁铜是一种重要的有机光电半导体材料，其优异的稳定性和良好的光电性能，越来越受到人们的重视.对真空蒸发法制备的酞菁铜薄膜进行......
Sb_2S_3(Se)材料具有吸收系数高、带隙可调、环境友好、储量丰富等优点,用作太阳能电池吸收层具有高的光电转换效率,因此是一种具......
γ相碘化亚铜(γ-CuI)是一种宽带隙p型半导体材料,禁带宽度为3.1eV,适合应用于LED和太阳能电池等光电子器件。本研究利用简单的真......
