离子束淀积相关论文
ＡＥＳ、ＸＰＳ分析和ＸＲＤ谱结果证明：采用低能双离子束淀积（ＩＢＤ）技术，在ＧａＳｂ（００１）衬底上共淀积生长了闪锌矿结构ｃ－ＧａＮ．Ｘ光Φ扫描显示，生长薄膜与衬底晶向匹配关系是ｃ－ＧａＮ［１１０］／／ＧａＳｂ［１００］．由此可以......
一、引言自七十年代初。由Aisenberg等人开始至七十年代末Weissmantel等人,用各种不同的离子束淀积方法都生长出了类金刚石碳膜。......
一、导言 七十年代初,首先是 Aisenbergerg(1)等人在真空室中用40eV的碳和氩离子打在不锈钢片上,淀积出了碳膜,膜的性质:透明,折射......
用低能双离子束淀积技术，在清洁的Si衬底上外延生长出了CeO2／Si异质结构。利用俄歇电子能谱、X射线光电子能谱的深度剖析技术对此类......
本文研究了影响离子束溅射淀积非晶硅薄膜的各种因素:真空室气氛,加速电压,衬底温度,几何位置及膜后处理;提出并论证了含氢等离子......
本文介绍离子束溅射淀积非晶硅(a—Si)及氢化非晶硅(a—Si:H)的技术,讨论工艺条件对薄膜质量的影响并探索艺的优化。研究表明薄膜......
本书第二版在第一版的基础上进行了修订,并在内容上有所增加。近几年来,薄膜物理学和薄膜技术的发展令人瞩目,本书力图阐述这些发......
合成工艺方式淀积的膜层质量和类型使用的基片/(需要核化 优点 缺点加强处理) 化学气相淀积(CVD):(1)热丝 厚度为1000— Si,Mo(用......
I inspection检查I inverter倒相器.转换器IA instrumentation amplifier测量放大器IA indite ct addressing 间接寻址IAAA integr......
本文研究了金属(Cu)/金属(Ag衬底)系统的荷能束辐照引起的表面偏析现象。观察到Cu在多晶Ag衬底上溅射淀积过程中,Ag原子在Cu膜表面......
本文介绍利用已建成的双束低能离子束薄膜淀积系统,制备Si、Ge、GaN低温外延膜,Si/CoSi_2/Si多层结构膜,以及金刚石多晶膜。
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本索引分为两部分。第一部分是选自1990年9月在英国召开的第八届国际离子技术会议中有关离子注入机的文章共63篇。这些论文都已刊......
本文围绕离子束对材料(主要是金属材料)表面改性处理,分别扼要介绍了属于此范围的几项主要技术。即离子注入、离子束混合、各种离......
采用离子束淀积方法制备了单相GdSi2薄膜．用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析，用X射线衍射方法分析了样品的结构，并用扫描电子显微......
本文报道了利用质量分离低能双离子束淀积法在硅－氧化硅图形衬底上采用不同的工艺条件淀积钴离子，并生长硅化钴薄膜，扫描俄歇微探针（ＳＡＭ）和......
【美国《橡树岭国家实验室评论》1992年第25卷第2页第129页报道】橡树岭国家实验室的表面改性和性质表征合作研究中心(SMAC)的研究......
卢道明，男，教授。1968年台湾成昆大学理学士，1971年乌司特综合工业大学理硕土，1976年威斯康星大学哲学博士。目前任美国罗斯利尔综合工......
研究了在紫铜基材上用离子束增强沉积法沉积ＴｉＢ２薄膜后，在６００，７００和８００℃的空气中氧化的动力学；在１ＮＨ２ＳＯ４溶液中，用动电位扫描法测定了其极化阻力，用ＳＥＭ观察了其......
