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本文叙述了DMOS器件和DMOS E/D电路的结构和特点。提出了硅栅自对准等平面DMOS E/D电路的工艺方案,并给出了工艺参数。用这种方案......
一、引言 核辐射对半导体材料产生损伤,引起器件性能退化。为提高器件在核辐射环境中的生存能力,科技工作者采取了种种措施,其中......
从理论和实验两方面研究了硅晶体管电流增益的低温特性,建立了电流增益的温度模型,阐明了电流增益低温下降的机理,在此基础上探讨......
随着晶体管尺寸的缩小,传统的多晶硅栅存在的多晶硅耗尽效应,过高的栅电阻和PMOS管的硼穿通效应成为晶体管尺寸进一步缩小的障碍.......
