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随着集成电路技术的发展,器件尺寸不断减小,为半导体器件建立精确的模型以模拟器件特性对微电子技术的发展是一件非常重要的工作.......
在分析半经典模型和量子模型的基础上,得到包括量子效应和多晶硅耗尽效应的栅氧厚度提取模型.栅介质厚度模拟结果和椭偏仪所测实验结......