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等离子损伤相关论文
MOS器件中的等离子损伤
随着栅极氧化膜的减薄,等离子对氧化膜的损伤(Plasma Process Induced Damage,P2ID)越来越受到重视.它可以使MOS器件的各种电学参......
期刊
MOS器件
等离子损伤
氧化膜
表征方法
plasma
damage
MOSFET
PECVD淀积介质层对MOSFET性能的影响
通过对nMOS器件随天线比增加的阈值电压漂移、跨导变化,MOS电容在TDDB测试后的QBD退化分析来评估在RIE(Reactive Ion Etching)金属前P......
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