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随着半导体制造工艺的快速发展,器件的特征尺寸已经达到纳米级。而微纳器件在空间辐射环境中的大规模应用使得半导体器件辐射效应......
本文针对当前SOI工艺器件尺寸减下单粒子翻转愈加敏感的问题,以特征尺寸为0.5/0.35/0.18μm的SOI工艺静态随机存储器(SRAM)器件为......
基于解析分析对比了大尺寸与深亚微米尺度下静态随机存取存储器(static random access memory,SRAM)单元单粒子翻转敏感性的表征值......
