以SnCl4和NaOH为原料,200℃水热条件下在预引入SnO2晶种的FTO导电玻璃上一步制备纳米花/棒多级结构SnO2。利用SEM,XRD,N2吸附-脱附......

二氧化锡是一种具有宽带隙为3.6e V的n型半导体材料。由于其独特的物理和化学特性,他的形貌合成科研工作者已经针对各种应用其进行......