纳米MOS器件相关论文
在量子理论框架下，建立全量子输运模型，采用C语言自主编制各种纳电子器件模拟程序，可分别模拟计算纳米MOS器件的栅泄漏电流、MOS器件......
众所周知,实现社会信息化的关键是各种计算机和通讯机,但是其基础都是微电子产品。目前,微电子产业的核心是MOS集成电路,自20世纪6......
提出了一种基于虚拟仪器的纳米MOS器件随机电报信号噪声测量方法.应用虚拟仪器平台采集随机电报信号噪声的时间序列,采用逐点差分......
随着CMOS 技术进入纳米工艺, 随机栅长变化成为影响集成电路性能和成品率最重要因素之一. 文中分析并验证了纳米MOS 器件随机栅长......
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由于纳米MOS器件尺寸很小,其中的电场强度较大,因此出现了严重的量子力学效应和各种涨落效应。纳米MOS器件中的低频噪声与各种涨落......
在45nm甚至更小的工艺节点下,传统的SiO2栅氧化层介质厚度已减薄至原子尺度范围,电子的直接隧穿效应将导致栅介质的泄漏电流急剧增......
实现社会信息化的关键是各种计算机和通讯机,其基础的部件都是微电子产品,微电子技术的核心是MOS集成电路,它的发展水平标志着整个......
该文借助计算机仿真软件以32nmNMOS器件为例，研究了短沟道器件的特性。通过采用迁移率、碰撞离化、载流子复合等物理模型在模拟软件......
