顺序隧穿相关论文
基于粒子数分辨的非马尔科夫四阶量子主方程和薛定谔瑞利微扰理论,建立了共隧穿极限下计算单分子体系的电子全计数统计理论,研究......
本文在详细分析和讨论电子和空穴直接隧穿过程的基础上,采用顺序隧穿理论和Bardeen传输哈密顿方法并考虑到价带混和效应,发展了电子......
采用顺序隧穿理论和传输哈密顿方法并考虑沟道表面量子化效应,建立了高介电常数堆叠栅介质MOS器件栅极漏电流的顺序隧穿模型。利用......
文章从分析量子力学效应对纳米级MOS器件的影响出发,采用顺序隧穿理论和巴丁传输哈密顿方法,建立了纳米级MOS器件直接隧穿栅电流的计......
介绍了共振隧穿二极管物理模型的量子力学基础,重点讲解共振隧穿两种物理模型,从不同维度隧穿的特点分析共振隧穿和非共振隧穿的区别......
实现社会信息化的关键是各种计算机和通讯机,其基础的部件都是微电子产品,微电子技术的核心是MOS集成电路,它的发展水平标志着整个......
将散射矩阵方法推广到超导双结系统,对正常金属/正常金属/超导结的隧道电导进行了研究.中间正常金属层中的电子和其Andreev反射空......