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讨论了低噪声放大器（LNA）在低电压、低功耗条件下的噪声优化及线性度提高技术。使用Chartered0．25gmRFCMOS工艺设计一个低电压折叠式......
基于IM3谐波分量抵消和噪声抵消技术，本文设计了一种两级差分低噪声放大器（LNA）电路。第一级采用跨导提高交叉耦合推拉式放大器以实现......
基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高增益、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,在共栅极上......
基于TSMC0．18μmCMOS工艺，设计了一种低噪声、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比，该电路在共源晶体管的栅源......
