【摘 要】
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基于射频(RF)MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD),对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析。在此基础上,针对栅源
【机 构】
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湖北工业大学太阳能高效利用湖北省协同创新中心
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基于射频(RF)MOS管的等效电路及非线性等效模型,采用Agilent公司ADS软件中的Symbolically Defined Device(SDD),对RF MOS管的非线性特性进行了综合分析。在此基础上,针对栅源电容(Cgs)、跨导(gm)、输出导纳(gds)和漏极结电容(Cjd)四个主要非线性源,提出了多栅晶体管补偿、PMOS管补偿、NMOS管补偿、共栅管栅电容补偿、深N阱和二次谐波短路等线性度提高技术。将这些线性度提高技术应用在射频功率放大器(PA)上,该PA采用TSMC 0.18μm RF CMOS工艺设计,仿真结果表明:采用线性度提高技术后,该功率放大器的线性度提高了4~10 d B。
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