GaN电力电子器件具有高效率、小尺寸、低损耗的优势,近年来华为、小米等企业推出了100多款手机快充,并在电动汽车、激光雷达、包络......

从AlGaN／GaN沟道阱电子状态出发，深入研究了GaN HFET研究中的钝化和场板电极。提出了用低、高Al组分比势垒制成复合势垒，来抬高势垒和......

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研究了背势垒、场板电极、电流崩塌、短沟道效应及源-漏穿通等GaN HFET的热点课题及其关联。高漏压下沟道阱中的强场峰和背势垒的......

GaN HEMT器件以其高频大功率特点成为微波功率器件的绝佳选择,目前关于GaN HEMT的研究已经逐渐进入毫米波频段。本论文主要针对Ka......

第三代宽禁带半导体材料氮化镓与传统的硅和砷化镓材料相比，具有禁带宽度大、临界击穿电场高、电子饱和速度高等优势，因此非常适合高......

毫米波AlGaN/GaN HEMT器件在高频、大功率、高温和抗辐照等方面的优异表现使它在国防工业和日常生活中有着越来越广泛的应用。为了......