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随着集成电路半导体制造工艺水平的快速发展,器件的特征尺寸不断缩小,芯片的集成度不断提升。器件特征尺寸越逼近14纳米工艺节点,......
自对准双重图型(SADP)技术广泛应用于28 nm以下节点逻辑电路制造工艺和存储器制造工艺。与其他双重图形技术(LELE,LPLE)相比,在处......
遵循摩尔定律的轨迹,集成电路的发展进入纳米级时代。光刻是集成电路制造的核心步骤,但是由于光源技术发展的滞后,193纳米波长光刻......
近十年来,随着半导体技术的不断进步,器件的功能也不断强大。然而随之而来的制造难度也与日俱增。为了便于半导体生产商突破制造技......