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衬底加热温度相关论文

磁控溅射衬底加热温度和后退火温度对制备β-Ga_(2)O_(3)薄膜材料的影响

作为宽禁带半导体材料的一员,结构稳定的β-Ga2O3具有比SiC和GaN更宽的禁带宽度和更高的巴利加优值,近年来受到科研人员的广泛关注......

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β-Ga2O3薄膜宽禁带半导体磁控溅射衬底加热温度高温退火晶体结构表面形貌 β-Ga<su

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