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MOS器件超薄氧化层中应力感生陷阱特性的研究
该文研究了MOS器件在高场应力下的退化和应力作用后的驰豫行为,以及应力产生的边缘陷阱性质.......
学位
可靠性
陷阱特性
FN注入
解陷
俘获
MOS器件
薄氧化物
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