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诱性缺陷相关论文

关于SiO薄膜中的高场诱生缺陷性质的比较研究

SiO薄模中的高场诱生缺陷是引起MOS器件特性蜕变以及器件失效的主要原因之一，因此对诱生缺陷进行了广泛的研究[1]。这类缺陷在SiO禁......

会议

SiO薄膜诱性缺陷

关于SiO<,2>薄膜中的高场诱生缺陷性质的比较研究

SiO薄模中的高场诱生缺陷是引起MOS器件特性蜕变以及器件失效的主要原因之一，因此对诱生缺陷进行了广泛的研究[1]。这类缺陷在SiO禁......

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SiO& lt 2& gt 薄膜诱性缺陷

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