【摘 要】
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SiO薄模中的高场诱生缺陷是引起MOS器件特性蜕变以及器件失效的主要原因之一，因此对诱生缺陷进行了广泛的研究[1]。这类缺陷在SiO禁带中和在Si/SiO界面上产生了不同的能级，除了一些浅能级((≤10nm)中，有相当多的实验已经发现了一些较深的能级(≥1.0eV)[2]。在另外一些实验中也发现了一些更深的能级(≥2eV)[3][4]。这是一些弧立的能，与通常在非晶硅或氮化硅(SiN)中发现的连续
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SiO<,2>薄模中的高场诱生缺陷是引起MOS器件特性蜕变以及器件失效的主要原因之一，因此对诱生缺陷进行了广泛的研究[1]。这类缺陷在SiO<,2>禁带中和在Si/SiO<,2>界面上产生了不同的能级，除了一些浅能级(<0.2eV)以外，在超薄SiO<,2>(≤10nm)中，有相当多的实验已经发现了一些较深的能级(≥1.0eV)[2]。在另外一些实验中也发现了一些更深的能级(≥2eV)[3][4]。这是一些弧立的能，与通常在非晶硅或氮化硅(Si<,3>N<,4>)中发现的连续分丰能级不同。这些能级的位置一般可以由TDDB的温度实验来确定。
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