谐振隧道二极管相关论文
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构 ,然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管 (RTD) ,有相当好的 I- V......
AlAs/InGaAs/AlAs 双障碍单人赛井结构的反响的通道二极管(RTD ) 被设计并且制作。设备在房间温度显示出 4:1 的当前电压的特征 wi......
采用分子束外延方法在砷化镓衬底上生长了双垒单阱结构，然后用常规半导体器件工艺制成了谐振隧穿二极管（RTD），有相当好的I-V特性，对于5......
