论文部分内容阅读
AlAs/InGaAs/AlAs 双障碍单人赛井结构的反响的通道二极管(RTD ) 被设计并且制作。设备在房间温度显示出 4:1 的当前电压的特征 withpeak 山谷水流比率。RTD 的散布参数被使用一个 HP8510 (C) 网络分析器测量。相等的电路参数被恰当、优化的曲线获得。交换时间的 RTD 用测量电容和平均否定微分电阻被估计。样品的最小的上升时间被估计是 21 ps。