伴随着集成电路的使用场景越来越丰富和复杂,移动终端以及各种低功耗应用在日常生活中的重要程度与日俱增,为了能够满足更复杂的功......

作为新型纳米器件之一,负电容场效应晶体管（NCFET）可以提升器件性能并有效降低功耗,被认为是可用于物联网等领域的下一代超低能耗集......

HfO2基铁电薄膜具有铁电性能优异、与现有集成电路制造工艺兼容和可微缩性强等特点,以其作为栅介质的铁电场效应晶体管和铁电负电......

相较于传统的金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）,负电容场效应晶体管（Negative Capacitance Field Effect Transistor,NCFET）具备......

集成电路技术的飞速发展，CMOS技术的微缩化发展已使特征尺寸进入到22nm及以下的纳米节点。技术节点的进一步缩小，增强的短沟道效应和......

铁电负电容晶体管的亚阈值斜率可低于60mV/dec的理论极限,是未来突破晶体管工作电压VDD和功耗的关键技术之一。自2008年铁电负电容......