赝配高电子迁移率晶体管(pHEMT)相关论文
基于0.25 μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款0.8～3.2 GHz高精度6 bit单片微波集成电路(MMIC)数字移相器.该移......
基于0.25 μm GaAs增强/耗尽型(E/D模)赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了并行驱动器的多功能单片微波集......
赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)是一种适于在10GHz到100GHz频带范围内应用的功率器件,是功率放大器的首选器件之一.该论文建立了一......
研制了A10.24Ga0.76As／In0.22Ga0.78As单平面掺杂PHEMT器件(SH-PHEMT)和双平面掺杂PHEMT器件(DH-PHEMT)，并对其特性进行了比较．由于采......
采用0.15μm GaAs PHEMT工艺,设计了一款DC～20 GHz宽带低噪声放大器,可作为驱动放大器用于光纤通信或作为宽带增益模块用于测试及测......
基于0.25μm Ga As赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺研制了一款可工作在脉冲和连续波条件下的X波段高性能大功率放大器(HPA)。根......
基于0.25μm砷化镓(GaAs)增强、耗尽型赝配高电子迁移率晶体管(E/D PHEMT)工艺,设计并实现了一种串并行驱动器芯片,该芯片应用直接......
设计并实现了一款宽带低噪声放大器,采用单级负反馈拓扑结构以提高增益平坦度和稳定性。为进一步简化应用,电路采用电阻自偏压技术......
采用将正压数字驱动电路和微波衰减器集成在同一单片上的方法,设计制作了6 bit正压驱动数控衰减器单片电路。分析了几种衰减电路原......
随着科技的进步,通信系统不断更新换代,通信产品也随之不断的向小型化、低功耗、高可靠性等方向发展,而单片微波集成电路(MMIC)具......
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片......
基于GaAs PHEMT工艺,设计制作了6~18 GHz驱动放大器单片电路。电路采用三级放大器拓扑结构,+5 V单电源供电。第一级采用负反馈电路......
研制了 Al0 .2 4 Ga0 .76 As/ In0 .2 2 Ga0 .78As单平面掺杂 PHEMT器件 (SH - PHEMT)和双平面掺杂 PHEMT器件(DH- PHEMT) ,并对其......
