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研究了埋氧层内注氮对SIMOX(SeparationbyImplantedOxygen)SOI(Silicon-on-Insulator)材料抗辐射性能的影响.实验采用Co-60源对由S......
该文研究了氮注入ＣＶＤ金刚石薄膜的场电子发射行为。实验表明，稳定发射的形成具有规律性的击穿、激活和稳定发射三阶段特征。文中还提出......
p+ 多晶硅栅中的硼在 Si O2 栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化 ,在多晶硅栅内注入 N+ 的工艺可抑制硼扩散 .制备出栅介质厚度......
利用等离子源离子注入 (PSII)技术对冷作模具钢材料Crl2MoV进行不同温度范围的处理 ,研究了温度在离子注入中对材料表面改性的影响......
研究了埋氧层中注氮后对制作出的部分耗尽SOInMOSFET的特性产生的影响 .实验发现 ,与不注氮的SIMOX基片相比 ,由注氮SIMON基片制作......
在0.1μm级的Si-CMOS器件及其集成电路中,作为替代传统SiO2栅介质的首选材料,超薄SiOxNy膜已被广泛研究和应用.本文介绍了近几年Si......
P^+多晶硅栅中的硼在SiO2栅介质中的扩散会引起栅介质可靠性退化，在多晶硅栅内注入N^+的工艺可抑制硼扩散，制备出栅介质厚度为4.6nm......
