载流子存储相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

载流子存储相关论文

IGBT载流子增强技术发展概述

发射极载流子增强技术作为绝缘栅双极型晶体管(IGBT)器件所特有的技术手段,是进一步改善IGBT导通饱和压降和关断损耗折中性能的关......

期刊

IGBT 载流子存储关断损耗双极型晶体管通态漂移区增强技术饱和压降器件空穴

基于增强型沟槽栅技术的高性能3300V IGBT

采用沟槽栅结构、软穿通(SPT)技术和载流子存储层技术研制出一款增强型沟槽栅型(TMOS+)3 300 V IGBT芯片,其具有更低通态压降、更......

期刊

绝缘栅双极晶体管(IGBT) 增强型沟槽栅通态压降关断安全工作区功率密度

看过本文同时还关注