达林顿结构相关论文
为解决传统达林顿结构的单片射频放大器线性度低和高低温下静态电流变化大的问题,设计了动态偏置电路和有源偏置电路来提高放大器......
本文介绍了一种基于0.5 μm GaAs 增强型pHEMT工艺的0.1-7GHz宽带低噪声放大器(LNA).该放大器采用一种基于共源、共栅结构的新型达......
本文采用基于硅基的BiCMOS工艺设计制作了一款带宽为DC到2.6GHZ的低噪声、高增益MMIC放大器.该放大器为了实现从DC到2.6GHz的带宽,......
基于2μm InGaP/GaAs HBT(磷化镓铟/砷化镓异质结双极型晶体管)工艺设计了一款单片微波集成电路射频放大器芯片。针对达林顿结构射......
SiGe HBT以Si工艺为基础,因此器件工艺比较成熟,且造价低,易与现有的Si工艺兼容,其放大器功率附加效率PAE(Power Additive Efficie......
