射频放大器相关论文
当要建立一个CATV宽带综合业务网时,射频放大器部分特别是反向的使用会面临新问题,本文以实际的经验来分析这些问题,从中提出选择......
采用0.5μm GaAs E-pHEMT工艺设计了一种0.1～6 GHz的高线性度射频放大器.结合达林顿电路与共源共栅电路结构,提出了一种新型放大器......
简单介绍 DF-100A 型 100kw PSM 短波调谐发射机高周原理以及由高前调谐电容内轴损坏引起的发射机故障分析与处理过程。......
新式八通道多重耦合器ＴＣＩ／ＢＲ研制的８１０５型高频多重耦合器可以提供多达６４个输出组合，以及八个接收天线输入。８１０５型高频多重耦合器装在一个四单元构成......
此高增益宽带射频放大器可与一根短于3mm 的天线组成短波有源天线,用来提升远距离短波调幅广播电台传束的微弱者信号,以提高短波......
产品安全性测试设备 ED＆D可提供一整套遵循UL、CSA、IEC、TUV、BSI和VDE等机构所有标准的设备。产品包括高电位测试仪、漏电流测试......
·与ＲｅｄＳｗｉｔｃｈ合作开发ＩｎｆｉｎｉＢａｎｄ产品ＣｏｌｌａｂｏｒａｔｅｓｗｉｔｈＲｅｄＳｗｉｔｃｈｔｏＤｅｖｅｌｏｐＩｎｆｉｎｉＢａｎｄＰｒｏｄｕｃｔｓ安捷伦科技公司日前宣布和ＲｅｄＳｗｉｔｃｈ公司将合作开发ＩｎｆｉｎｉＢａｎｄ技术。ＲｅｄＳｗｉｔ
Collaboration with RedSwitch to Develop InfiniBand Product......
依靠按比例缩小理论,CMOS现在已进入深亚微米至纳米时代,这不仅使CMOS数字集成电路达到Gb规模的集成度,而且由于器件工作频率的提......
1.概述:BA1404/1404F是日本东洋电器制作所(Rohm Co.Ltd.)生产的调频立体声发射集成电路。此电路将立体声调制、FM调制和RF放大器......
日前,NEC 面向准毫米波频带(30GHz)试制出了 GaN 系半导体功率晶体管,最大功率约为以前的3倍,实现了2.3W 的功率放大。主要面向无......
本文介绍DX-200中波发射机调制编码板的测试平台,其设计思路从该板卡的功能入手,模拟其数字输入信号、监测信号、显示信号和控制信......
据《Semiconductor FPD World》2006年第10期报道,NEC成功开发了采用氮化物宽禁带材料晶体管制作的大功率放大器,应用于第三代手机......
射频放大器是收发信系统中不可缺少的重要器件,文中利用了S IEM EN S公司生产的BFP 420硅双极晶体管,采用三种不同的集电极偏置电......
位于美国加利福利亚周尔湾市的Pasternack公司一直专注于生产无源和有源射频、微波和毫米波产品,近日发布了一系列同轴封装射频放......
Pasternack公司公布了便携式台式射频放大器新产品线,其覆盖频带极宽,可达40GHz。这些射频放大器模块结实耐用,其设计可满足MIL-ST......
射频微电子是当代移动通信的基础，而移动通信是射频微电子的主要应用，联系移动通信和射频微电子的一个重要桥梁就是射频收发信机。目......
无线通信系统的发展大大提高了人们的生活水平,人们享受到现有科技带来便利的同时,也开始出现了更广泛的通信需求。传统的WIFI作为......
超声发射脉冲和反射波在人体组织中传播时的衰减,受查组织的特性不明和结构的运动,以及超声束方向的经常变化等,所有这些因素决定......
近年来,随着航天、航空工业的发展,超声测厚已成为生产中必不可少的检测手段。其中,首先要解决的问题,是如何尽可能简便,准确地提......
不管是哪种超声波诊断装置,根据其电路结构来分,则大致由图2.1所示的部分来构成。下面就以日本日立医疗器械公司(Hi-tach Medical......
本文叙述了许多适宜装备舰艇的无源电子战系统,讨论了在通常的雷达信号背景下影响系统选择的因素。
This article describes many......
本发明涉及到一个测向系统,具体地说涉及到一个多信道非扫描的测向系统。这个系统由多个接收信道和一个主信道组成,主信道为其他......
序号 题 名 刊 名 著 者 年期页 6.10电气噪声 1 弱光反馈对半导体激光 AM和 FM噪声 中国激光 李林林 90.6.306 谱的影响 2 几种常......
磁共振成像是患者在强磁场中通过梯度磁场及射频脉冲的作用所得的图像。磁共振成像设备主要由主磁体、射频、梯度、计算机控制部分......
大构在14个月以前,通讯兵团与通用电气公司功率管部签订了研制高强度电子器件的合同。合同要求这种小型的空间电荷控制电子管在10......
本文叙述了近二十年来各种低噪声微波和毫米波接收机“积木式组件”的技术发展水平和各种综合设计法。它们主要有:高空间非制冷参......
本文导出了由晶体管高频调谐放大器的闪变调相噪声,决定的频率稳定度(频域的表征相位功率谱密度S△φ_1(f)和时域的表征阿伦方差σ......
本文描述了双栅GaAsFET放大器的三阶互调失真(IMD)积,它是直流偏压条件(V_(G1))和第二栅控制电压(V_(G2))的函数。提供了一个12GHz......
V 形槽金属氧化物半导体(VMOS)器件为混频器的设计提供了一条新的途径。这种器件改善了高质量通信设备端口间的隔离度并提高了抗带......
采用单片IC AN7254,使调频接收机前端电路部分实现集成化。除了射频放大器以外,变频器、本地振荡器、射频自动增益控制的电平检测......
电子束轰击半导体器件,近年来有较大突破,出现了一批能与现有电真空器件、半导体器件相竞争的新型器件,从首批产品所显示的独特功......
由于调谐输出电路和直流功率输入电路的限制,在一般情况下,是不能由同一个射频功谐放大电路同时实行 B 类工作和 D 类工作的。但由......
实用的高性能栅控真空发射阴极的出现将强烈地影响射频信号源技术。以场发射阵列(FEA)为代表的栅控发射阴极,兼有真空电子输运和固......
本文简略叙述最近被称为“调谐贮能器(Tuned Energy Storage)”的理论及其应用。该技术可大大减少对储能的需要,使得固态发射机的......
低噪声微波晶体管通常要求具有最小的噪声系数及相应的增益(一般O.5～1.5分贝,小于晶体管的最大有效增益).这可通过调节放大器,牺牲......
１９９４年亚太微波国际会议１９９４Ａｓｉａ－ＰａｃｉｆｉｃＭｉｃｒｏｗａｖｅＣｏｎｆｅｒｅｎｃｅ￥（ＳｕｎＺａｉｊｉＮａｎｊｉｎｇＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＤｅｖｉｃｅｓＩｎｓｔｉｔｕｔｅ，２１００１６）ＡＰＭＣ是三个国际性微波会议之一，它的第一届会议比Ｉ...
1994 Asia-Pacific Microwave International Conference 1994......
采用图像抑制有源ＨＥＭＴ混频器的６０ＧＨｚＭＭＩＣ下变频器（ｌＥＥ１９９４ＭｉｃｒｏｗａｖｅａｎｄＭＭ．Ｗ。Ｍｏｎｏｌ．Ｃｌｒｃ．Ｓｙｍｐ．）报道，日本ＴａｍｉａＳａｉｔｏ等用ＡＩＧａＡｓ／ＧａＡｓＨＥＭＴ工艺技术设计、制作出一种Ｖ波段单片下变频器。...
A 60GHz MMIC downconverter ......
本文以美国Harris公司的3DX50中波广播发射机为例,概括介绍了3DX中波广播发射机的驱动和调制技术、模块组成与功能、主要技术指标......
