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选择性沟道缩小相关论文
用于后栅工艺的SOI-FinFET选择性沟道缩小技术
在FinFET技术中Fin的宽度对器件性能有重要影响。较窄的Fin能够更好地抑制短沟道效应,改善器件亚阈值特性,但同时也导致源漏扩展区......
期刊
FinFET器件
SOI衬底
后栅工艺
选择性沟道缩小
亚阈值特性
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