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铟镓氮化合物相关论文

有机源载气对MOCVD生长InGaN薄膜的影响研究

采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InxGa1-xN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道技术和光致发光技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样品进......

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MOCVD生长InGaN／AlGaN双异质结构与GaN过渡层的工艺与特性

评述利用MOCVD技术在α-Al2O3衬底上生长GaN薄膜及InGaN／A1GaN双异质结(DH)结构的工艺与特性；从表面动力学观点着重讨论了GaN过渡层M......

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