非辐射复合相关论文
基于金属卤化物的钙钛矿光伏电池（PSCs）具有较大的光吸收系数、长的载流子扩散距离以及较低的制备成本等优势，在过去十几年来得到了研......
受有机阳离子热稳定性的影响，有机无机杂化钙钛矿薄膜在制备过程中表面会存在大量的缺陷，对器件的光电转换效率（PCE）和湿度稳定性十分......
铅卤钙钛矿太阳能电池因其优良的光电转换效率以及相对低廉的制备成本而受到广泛关注。然而铅卤钙钛矿太阳能电池的长期稳定性限制......
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池（Perovskite Solar Cells,PSCs）以其优异的光电性能引起了全世界的关注。然而,大多数报道的高效PSCs......
钙钛矿太阳能电池因其优异的光电性能成为了目前研究热点，但是目前广泛采用的钙钛矿多晶离子晶体薄膜多是基于溶液处理工艺制备的，这......
光学带隙或禁带宽度是半导体材料的一个重要特征参数.?本文以3个具有代表性的InGaN/GaN多量子阱结构作为研究对象,?深入探讨了荧光......
为实现ZnO纳米柱阵列材料在新型纳米结构化太阳能电池中的应用,需要对纳米柱的几何形貌与光电特性进行调控.ZnO纳米柱阵列材料的制......
点缺陷对半导体的光学和电学性质有重要的影响,因此缺陷的调控对基于半导体的光电器件的性能优化尤为关键。当前,实验上有许多手段......
尽管钙钛矿太阳能电池的效率目前已高达25％，要实现效率的进一步提升却越发困难.而作为限制效率提升最主要的一个瓶颈，缺陷引起的载流......
有机-无机杂化钙钛矿太阳能电池具有优异的光电转换效率、较长的载流子扩散长度和较低的复合速率.这也导致了人们长期以来认为有机......
在薄膜晶体生长的过程中，当结构单元排列出现错误时，则会在晶体中形成各种缺陷。钙钛矿光吸收层一般通过溶液法成膜，不可避免地在存在......
为在新型太阳能电池等先进光电器件中成功应用ZnO纳米柱阵列,需要以高沉积速率生长ZnO纳米柱,并能够对纳米柱的形貌与光电物理性质......
通过半导体光电化学分解水途径,可以把太阳能转化为氢气化学能,实现多种潜在应用。Fe_2O_3具有较小的禁带宽度(～2.0 e V)、合适的价......
评介了阳极氧化方法制备多孔硅（ＰｏｒｏｕｓＳｉｌｉｃｏｎ）的工艺，讨论了多孔硅的形貌及发光机制。
The process of anodic oxidation of PorousSilicon was r......
测量了Al_yGa_(1-y)As/Al_x Ga_(1-x)As量子阱激光材料的光致荧光谱.发现在室温连续激光器材料的光致荧光谱中有两个峰,而不能激射......
利用红外光谱、光致发光光谱与Hall测量等手段，对Fe掺杂Hg1-xCdxTe体单晶样品进行实验，研究了Fe在Hg1-xCdxTe中的杂质行为，发现Fe掺杂......
报道了对多孔硅进行后处理的一种新方法，即真空中微波等离子体辅助的钝化处理．傅里叶变换红外吸收谱表明，经处理的样品表面主要是被ＳｉＳｘ和......
提出了量子阱系统中包括非辐射复合效应和载流子屏蔽效应在内的光生载流子瞬态复合过程的唯象模型．结果表明，荧光衰退时间与样品质量......
以行波放大器速率方程为基础，采用传输矩阵方法，对行波放大器的增益饱和特性进行了理论研究，讨论了增益饱和特性对电流注入水平、腔面......
通过对影响GaAs／AlGaAs激光器波长的各种因素的分析讨论与实验研究，制备了性能优良的808umGaAs／AlGaAs大功率激光器材料．应用此材料制......
本文详细论述了半导体蓝光激光器的应用前景、国内外研究动态以及量子阱半导体蓝光激光器件的结构与种类等。
This paper discuss......
采用PECVD法生长的无定型硅和直拉晶体硅为衬底注入Er3+ 离子的掺铒硅 ,经快速退火后在 15K至 2 93K下均可获得波长为 1 54μm的......
本文提出微腔半导体激光器的两种新调制方法：自发发射寿命调制和光子寿命调制．小信号近似分析的数值模拟结果表明，这两种调制方法的调......
在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效......
采用传输矩阵方法（ＴＭＭ）对具有不同腔面反射率的半导体激光放大器的特性进行了分析。在相同的注入水平下镀膜后峰值增益波长会产生几十纳......
对氧化物条型ＧａＡｓ／ＧａＡｌＡｓ大功率量子阱激光器的电导数曲线及其参数与器件可靠性之间的相关性进行了讨论，指出ｍ，ｈ，ｂ参数可以评价器件质量和可靠性。实......
多年来，光的自发发射被认为是辐射原子的一种天然和不可改变的特性。但我们现在知道，通过改变原子所处环境的方法可以控制原子的自发......
依据多量子阱垂直腔面发射半导体激光器（VCSELs）的结构特点，并考虑到腔量子电动力学中自发辐射增强效应，建立了多量子阱VCSELs的速率方......
对于半导体分别限制单量子阱激光器，为了降低阈值电流，提高外量子效率，分析和讨论了影响阈值电流和外量子效率的各种因素，并做了一定的......
分析了ＡｌＧａＩｎＰ材料的特点和ＡｌＧａＩｎＰ高亮度发光二极管发光效率的决定因素，对目前国际上研究比较成熟的一些典型结构进行了综合分析，从理论上指出ＡｌＧａＩｎＰ发光......
考虑非辐射复合,采用小信号近似方法分析了微腔半导体激光器的自发发射寿命调制。数值模拟结果表明 ,非辐射复合对微腔半导体激光......
设计了一种将 β FeSi2 颗粒埋入非故意掺杂Si中的Sip π n二极管来确定 β FeSi2 Si异质结的能隙差 .当二极管处于正向偏置时 ,......
通过红外透射光谱研究了在光诱导退火中退火条件对氢化非晶硅薄膜的结构和光电特性的影响,实验所用样品采用热丝辅助微波电子回旋......
作为空间光互连系统的发射部分,垂直腔表面发射激光器(VCSEL)阵列的热特性直接影响到光互连系统的稳定性。建立了850nm VCSEL 4×4......
分类讨论了半导体激光器热特性(温升)测量中所用的技术,介绍了各种技术的基本原理及其特点。
The technologies used in the meas......
在Si衬底GaN基蓝光LED芯片上生长了一层SiON钝化膜,使器件的光输出功率提高12%且有效降低了器件在老化过程中的光衰。对有、无钝化......
利用金属有机物化学气相沉积系统在蓝宝石衬底上通过有源层的变温生长,得到In组分渐变的量子阱结构,从而获得具有三角形能带结构的......
通过调节量子阱中的In组分,制备了GaN基蓝光和绿光发光二极管(LED)。对两种LED进行变电流测试发现,注入电流由3 mA增加到900 mA过......
文章研究了如何兼顾质子注入型垂直腔面发射激光器的功率和阈值性能.从模拟和实验两方面分析了质子注入能量与器件功率和阈值特性......
本文建立了发光二极管(LED)芯片的非等温多物理场耦合模型。结果表明,芯片内热源集中在多量子阱(MQWs)区域,且靠近p-GaN的第一个量......
近年来半导体激光器(LD)的应用和性能的提高令人注目。目前激光器行业中,多数产品都是半导体激光器,其以效率高,结构紧凑寿命长等......
