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靶材密度相关论文

靶材密度对射频磁控溅射法制备ITO薄膜性能的影响

以不同密度的氧化锡铟（ITO））靶材为原料，采用射频磁控溅射法，在室温下沉积并经750℃退火，获得了电阻率为1．56×10^-4Ω·cm、可见......

期刊

氧化锡铟(ITO) 靶材密度薄膜射频磁控溅射 indium tin oxide（ITO） target density film radio frequen

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