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以不同密度的氧化锡铟（ITO））靶材为原料，采用射频磁控溅射法，在室温下沉积并经750℃退火，获得了电阻率为1．56×10^-4Ω·cm、可见光透过率为87％的ITO薄膜。对不同密度靶材制备的ITO薄膜的微观结构、电学及光学性能进行了表征与探讨。结果表明，采用射频磁控溅射法时，不同靶材密度对ITO薄膜的沉积速率、结构、电学和光学性能均无显著影响。该结果为采用低密度ITO靶材制备高品质ITO薄膜提供了一个新的思路。