高阻衬底相关论文
研究用增加多子保护环的方法抑制功率集成电路的闩锁效应,首次给出环距、环宽设计与寄生闩锁触发阈值的数量关系,并比较了不同结深......
介绍了一种基于电阻率高达1000Ω·cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能......
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针对于高阻衬底、高阻外延工艺与常规CMOS工艺的兼容性进行研究,主要讨论了CMOS外延工艺中确定有效外延层厚度的实验过程。......
闩锁效应会严重导致电路的失效,甚至是烧毁芯片.采用增加多子保护环的方法来抑制功率集成电路的闩锁效应,而且给出环宽设计、环距......
