高频电容-电压特性相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

高频电容-电压特性相关论文

添加H2对SiH4/N2/Ar等离子体淀积的氮化硅电学和光学特性的影响

研究了加H2对SiH4/N2/Ar高密度、低离子能量的等离子体淀积的氮化硅薄膜（淀积的衬底温度为400℃）电学和光学性能的影响.实验结果表明......

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等离子增强化学气相淀积氮化硅氢气添加光学带隙高频电容-电压特性 plasma enhanced chemical vapor deposition s

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