ADP晶体相关论文
KDP类晶体是一类综合性能优良的光学材料,在非线性光学领域有着重要应用。水和杂质是影响KDP类晶体生长和光学质量的两大因素。水......
ADP晶体(磷酸二氢铵晶体,NH4H2PO4)是一种性能较优良的非线性光学晶体,在激光和光电子技术应用方面占有重要地位。ADP晶体是KDP类......
采用一种全新的ADP晶体生长方法,使晶体首先恢复其理想外形,实现晶体的全方位生长,从而提高晶体的生长速度.并对所得晶体进行了透......
ADP晶体点状籽晶生长实验结果表明：生长温度处于20～40℃，相变驱动力介于0．005KT／ωs～0．03KT／ωs，之间时，籽晶（100）晶面的生长速率随过饱和度的......
ADP晶体{100}面族微观形貌的非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）成像表明，过饱和度σ=0．053时，晶面上出现二维成核生长；随σ增加至0．1......
采用一种全新的ADP晶体生长方法，使晶体首先恢复其理想外形，实现晶体的全方位生长，从而提高晶体的生长速度。并对所得晶体进行了透过......
非临界相位匹配条件下,为保证大口径倍频晶体具有较高的温度稳定性与一致性,在全口径范围内实现最优的倍频转换效率,设计了一种采......
本研究制备了具有不同形式棱角的NH_4H_2PO_4（ADP）晶体Z切片样品。通过实验,观察不同Z切片薄表面层形成及生长特性,并计算了不同棱角......
ADP晶体{100}面族生长的实时与非实时AFM（atomic force microscopy，AFM）研究表明，过饱和度σ处于0．005～0．04，生长温度介于293～313K之间时，晶......
用静态法测量了ADP晶体的电光系数，在波长632.8nm，γ63=8.14±0.1×10-12m/V，γ41=22.2±0.2×10-12m/V，在488nm，γ63=......
设计了一套显微实时观测系统，分析了Z切向ADP晶体成锥过程中形成的薄表面层的生长动力学。通过实时记录成锥薄表面层的切向速度，得到......
本论文研究的全方位生长装置能解决常规的ADP晶体的单向生长问题。在这套装置中,籽晶完全位于溶液中央,籽晶可以首先恢复其理想的......
当今时代,对微观领域的认识变得越来越迫切和重要,而科技的发展与进步,则使这种需求的实现成为可能,原子力显微镜（atomic force mic......
ADP晶体属于KDP类晶体中的一种,是一种性能优良的非线性晶体,具有优良的铁电性质、压电性质和电光性质,由于ADP晶体能够长成大尺寸......
磷酸二氢铵(NH4H2PO4,简称ADP)晶体是磷酸二氢钾(KH2PO4,简称KDP)类晶体的一种,具有优良的铁电、压电和电光性能,易于长成大尺寸高......
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