AG掺杂相关论文
运用第一性原理研究了Ag掺杂及缺陷共存对ZnO光电性质的影响.计算结果表明富O条件有利于Ag的掺杂,贫O条件不利于Ag的掺杂.Ag掺杂浓......
溶液法制备Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜太阳能电池可以降低其制备成本,提高原料利用率,从而提升CIGS电池在光伏市场的竞争力.近年来基......
本文采用沉淀法制备了不同Ag掺杂比例的CeO纳米复合微粉.利用X射线衍射分析研究了CeO及其掺杂体系的相组成,研究表明掺杂形成了无......
本文介绍了挥发性有机污染物的危害和治理,光催化化学的发展状况、理论意义及现实意义,对TiO2光催化消除有机物机理和研究现状以及......
本论文采用固相反应法制备LCMO及LCMO-Ag靶材，并用射频磁控溅射工艺在Si（100）基片上制备LCMO-Ag薄膜，研究制备工艺参数对LCMO-Ag薄膜电......
以钛酸丁酯为钛的前驱体,硝酸银为银物种掺杂给体,采用溶胶-凝胶法制备经Ag掺杂改性的TiO2溶胶,利用浸渍提拉法在普通玻璃片上制得......
采用溶胶-凝胶法制备La0.67Sr0.33Mn O3∶Agx(LSMO∶Agx,x为摩尔百分比,x=0,0.04,0.08,0.10,0.20)多晶材料。通过XRD和R-T对LSMO∶......
目的研究Ag掺杂对Cu2Se薄膜物相组成以及热电性能的影响。方法使用粉末烧结的Cu2Se合金靶和高真空磁控溅射设备制备掺Ag的Cu2Se热......
目前,Cu-S基热电材料因其原料价格低廉、无毒,本身具有超低热导率等优点越来越受到大家的关注,被认为是一类极具应用前景的热电材......
La1-xAxMn O3（A=Ca,Sr,Ba等）材料作为一种典型的钙钛矿锰氧化物可以被应用在电磁领域的器件中,该材料内部具有复杂的物理现象。要使L......
薄膜材料的种类繁多,常见的有氧化锌（Zinc Oxide,简称Zn O）、氧化镍（Nickel Oxide,简称Ni O）、二氧化钛（Titanium Dioxide,简称TiO2）以及......
文章围绕着氧化锌（Zn O）这种传统半导体材料展开探索,目标是用来解决环境污染问题。通过研究Zn O的催化性能来解决环境严重污染和各......
研究高催化活性、高稳定性的氧还原催化剂对于燃料电池和金属-空气电池的发展是至关重要的。采用湿式还原法将Ag嵌入ZIF-67孔腔内......
半导体光催化剂在环境和能源领域有着潜在的应用前景。W03由于具有良好的稳定性,价带空穴氧化能力强,来源广泛,低价,无毒的特点而......
在前期的研究中,利用NdBCO123冷籽晶技术成功制备出具有理想织构的SmBCO/Ag单畴块材.但由于高质量的Nd籽晶的供应难以得到保证,从......
金属有机溶剂法(MOD)是制备高质量YBCO涂层导体的主要方法之一.银掺杂可以有效降低晶界的弱连接改善薄膜的表面形貌,提高涂层导体......
本文对Ag掺杂熔融织构YBCO材料的峰效应进行了研究.磁测量结果表明,Ag掺杂不会影响峰效应的产生,但能显著改变峰效应对温度和磁场......
在目前的存储器应用中，市场对非挥发性存储器的需求很高。Flash存储器因其具有集成密度高、操作速度快和电可擦除等优点而受到广泛......
TiO2光催化具有氧化活性高、化学性质稳定、环境友好等特点，被广泛应用于有机污染物治理中。然而由于TiO2的禁带宽度较大(>3.2 eV)，......
流程工业中的设备长期处于高温、高压、强腐蚀性等高参数运行环境中,材料受损破坏风险增加,因此对危险部位进行实时结构健康监测,......
随着社会的进步和经济的快速发展,伴随而来的环境污染问题也日益严重,对环境污染的控制和治理已经成为人类亟待解决的重大问题。由......
ZnO作为优异的宽禁带半导体材料，在光电领域的应用前景非常广泛，已经成为近年来研究的热点之一，但仅仅依靠ZnO本身的性质有时难以达到......
ZnO作为重要的Ⅱ～Ⅵ族半导体纳米材料，具有独特而优异的光电特性和很好的生物相容性，在发光二极管、传感器、光催化、生物医学等领域......
综述了光催化技术的研究现状、TiO2光催化反应的机理、TiO2纳米管阵列的制备方法、不同银离子掺杂方式以及Ag掺杂对TiO2光催化活性......
采用物理热蒸发法制备ZnO纳米材料及不同质量分数(1％,3％,5％,wt,下同)Ag掺杂的ZnO纳米材料,制备成旁热式气敏元件,采用静态配气法对目......
溶胶-凝胶法制备了Ag掺杂的ZnO薄膜(AZO).采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、UV-VIS分光光度计、光致发光检测研究了掺杂......
采用固相法合成制备La2/3Sr1/3MnO3∶Agx(LSMO∶Agx,其中x为Ag掺杂量的摩尔比,x=0.00、0.10、0.20、0.30、0.40)多晶材料。通过X射......
宽禁带直接带隙半导体材料氧化锌(ZnO),具有优异的光电性能、机械性能和化学特性。ZnO材料的结构对其性能影响较大,元素掺杂可改变......
通过简单的水热反应，结合煅烧工艺制备了不同掺杂浓度（摩尔比0％-8％）的系列Ag—In2O3纳米颗粒。通过扫描电子显微镜（SEM）和X射线衍射仪（XRD）......
概述准一维纳米结构材料包括纳米管、纳米线和纳米棒通过多种方法已经被成功制备出来，其独特的物理化学特性，在微电子器件方面有很好......
ZnSb基热电材料是中温区热电性能较好的一种材料,为进一步提升其性能,采用磁控溅射(射频+直流)的方法制备掺杂型ZnSb基热电薄膜;通......
以Zn（NO3）3.6 H2O,AgNO3为原料,明胶为模板分散剂,采用凝胶模板燃烧法制备纯ZnO和ZnO∶Ag纳米晶,利用XRD,SEM,TEM和PL谱对样品的结构......
采用非醇盐溶胶-凝胶工艺在Al2O3基片上旋转涂敷制得掺Ag的SnO2薄膜。原子力显微镜和扫描电子显微镜分析显示：薄膜晶粒呈球形，600℃......
采用直流磁控溅射方法在室温下制备厚度为130nm的ITO和Ag—ITO薄膜，并在大气环境中不同温度下退火1h，测试其XRD谱和近紫外－可见光透射......
通过采用密度泛函理论对Ag掺杂Cd（12）Te（12）纳米团簇稳定结构进行了理论分析研究,尤其是掺杂浓度对其特性的影响.详细地分析了不同掺杂......
由于自身电子性质的可协调性,镉硫族半导体尤其是掺杂的纳米半导体团簇吸引了广泛关注.采用密度泛函理论的方法对Cd_nSe_n（11≤n≤1......
Conductive and corrosion behaviors of silver-doped carbon-coated stainless steel as PEMFC bipolar pl
Ni–Cr enrichment on stainless steel SS316 L resulting from chemical activation enabled the deposition of carbon by spra......
利用溶胶一凝胶法制备了L10相FePt纳米颗粒和FePtAg纳米颗粒，并利用X射线衍射仪（XRD）、振动样品磁强计（VSM）、透射电子显微镜（TEM）等测试......
TiO2在光催化和光电转化领域拥有十分广阔的应用前景,近几年来备受研究人员广泛关注。本文综述了TiO2光催化反应机理以及掺银TiO2......
基于密度泛函理论框架下的平面波超软赝势方法,计算了Ag掺杂单层MoS_2中的能带结构、态密度和光学性质.计算结果显示单层MoS_2具有......
采用Ag原子对锐钛矿型TiO2半导体进行掺杂，利用基于密度泛函理论的第一性原理研究了Ag掺杂TiQ的晶体结构和能带结构．计算表明，Ag掺杂......
本研究利用Ag掺杂型TiO2粉末,以盐酸四环素为目标污染物,于可见光下光催化降解四环素类抗生素废水。通过光催化降解盐酸四环素的实......
采用溶胶-凝胶法制备了Ag/Ti O2光催化剂。通过X射线衍射（XRD）、场发射扫描电子显微镜（FE-SEM）、N2吸附-脱附（BET）、透射电子显微镜（TEM）对......
Ag掺杂的机械合金化Mg2Ni粉末吸氢性能的改进 贮氢合金可划分为AB型、AB2、A2B和AB5型四大类，在为数众多的合金之中以A2B型Mg2Ni金......
硒化锡热电材料作为一种极具研究前景的功能材料,其单晶ZT值可达2.6。但由于单晶制备工艺的复杂性及应用限制,现研究主要集中于多......
采用硬脂酸法合成Ag掺杂的K2La2Ti3-xAgxO10复合催化剂,并通过微波辅助法进行酸交换、胺柱撑、离子交换以及硫化等步骤制备了CdS插......
采用蒸镀与氧化二步法,以高纯混合金属Zn：Ag作蒸发源,在石英衬底上沉积Zn：Ag金属薄膜,经不同热氧化处理生长Ag掺杂ZnO薄膜。结果显示......
本文利用水热生长法在掺铝氧化锌(AZO)种子层上以Ag掺杂制备出ZnO:Ag纳米棒,采用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和光致发......
