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AIN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性
研究了AlN基片上重掺杂硼的多晶硅膜电阻率温度特性,实验发现,膜电阻率随温度变化呈出从NTC过渡到PTC的U型特性,转折温度TM的位置依赖工艺条件的变......
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多晶硅
晶界势垒
转折温度
AIN基片
掺杂
polysilicon
U type curve
interface barrier
criterion
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