APMOCVD生长相关硕士博士期刊学术论文 - 信丰网

APMOCVD生长相关论文

在Al_2O_3衬底上GaN的APMOCVD生长

在Ａｌ_２Ｏ_３衬底上ＧａＮ的ＡＰＭＯＣＶＤ生长缪国庆，元金山，朱景义，李玉琴，洪春荣（中国科学院长春物理研究所，长春１３００２１）含氮回一Ｖ族化合物（包括ＧａＮ、ＡＩＮ、ＩｎＮ和ＧａＡＩＮ）是直接带隙半导体材料......

期刊

APMOCVD生长 Al_2O_3 GaN 直接带隙半导体外延层半导体材料李玉琴禁带室温光致发光蓝光发光二极管

APMOCVD生长条件对GaN晶体和光学性质的影响

报道了用国产ＡＰＭＯＣＶＤ系统生长ＧａＮ材料。研究了ＧａＮ过渡层生长温度、氮化时间、Ⅴ／Ⅲ比对ＧａＮ外延层晶体质量、光学性质的影响。发现低温生长ＧａＮ过渡层和氮......

期刊

外延层 APMOCVD生长光学性质 GaN 过渡层 Ⅴ／Ⅲ比晶体质量半导体材料氮化处理直接带隙

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