Ag局域表面等离子体相关论文
ZnO是一种透明氧化物半导体材料,室温下的禁带宽度为3.37eV。通过向ZnO中掺入Cd元素得到ZnCdO合金,可以有效减小ZnO的禁带宽度,从......
宽禁带（3.37eV）半导体ZnO具有高达60meV的激子束缚能，易在高温下获得激子发射，是发展紫外光发射器件的理想候选材料。目前已成为继GaN......
